AFC4604W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AFC4604W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: DFN3X2-8L
AFC4604W Datasheet (PDF)
afc4604w.pdf
AFC4604W Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC4604W, N-Channel enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/2.4A,RDS(ON)=78m@VGS
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918