AFC5604 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AFC5604
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO-252-4L
Аналог (замена) для AFC5604
AFC5604 Datasheet (PDF)
afc5604.pdf

AFC5604 Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/15A,RDS(ON)= 20m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)= 30m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma
afc5606.pdf

AFC5606 Alfa-MOS 60V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/15A,RDS(ON)=42m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power mana
Другие MOSFET... AFC4516 , AFC4516W , AFC4539S , AFC4539WS , AFC4559 , AFC4599 , AFC4604W , AFC5521 , P60NF06 , AFC5606 , AFC6332 , AFC6601 , AFC6602 , AFC6604 , AFC8562 , AFN02N60T220FT , AFN02N60T220T .
History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60
History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet