Справочник MOSFET. AFN04N60T220FT

 

AFN04N60T220FT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN04N60T220FT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для AFN04N60T220FT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN04N60T220FT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  alfa-mos
 afn04n60t220ft afn04n60t220t afn04n60t251t.pdf pdf_icon

AFN04N60T220FT

AFN04N60 Alfa-MOS 600V / 4A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN04N60 is an N-channel enhancement mode Power 600V/2A,RDS(ON)=2.4(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state

Другие MOSFET... AFC6332 , AFC6601 , AFC6602 , AFC6604 , AFC8562 , AFN02N60T220FT , AFN02N60T220T , AFN02N60T251T , 7N60 , AFN04N60T220T , AFN04N60T251T , AFN06N60T220FT , AFN06N60T251T , AFN07N65T220FT , AFN07N65T220T , AFN08N50T220FT , AFN08N50T220T .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.