AFN1304 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN1304  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN1304

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN1304 даташит

 ..1. Size:592K  alfa-mos
 afn1304.pdf pdf_icon

AFN1304

AFN1304 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1304, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=680m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low S

 0.1. Size:593K  alfa-mos
 afn1304e.pdf pdf_icon

AFN1304

AFN1304E Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1304E, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=400m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=500m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=680m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:799K  alfa-mos
 afn1306.pdf pdf_icon

AFN1304

AFN1306 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1306, N-Channel enhancement mode 30V/1.5A,RDS(ON)=430m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/1.2A,RDS(ON)=580m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=860m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low S

 9.1. Size:270K  alfa-mos
 afn1330s.pdf pdf_icon

AFN1304

AFN1330S Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1330S, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A , RDS(ON)=7.5 @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.05A , R DS(ON)=7.5 @VGS=5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN10N60T220FT, AFN10N60T220T, AFN10N65T220FT, AFN10N65T220T, AFN12N60T220FT, AFN12N60T220T, AFN12N65T220FT, AFN12N65T220T, EMB04N03H, AFN1304E, AFN1306, AFN1330S, AFN1443, AFN1501S, AFN1510S, AFN1520, AFN1530