AFN3009S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN3009S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN3009S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3009S даташит

 ..1. Size:823K  alfa-mos
 afn3009s.pdf pdf_icon

AFN3009S

AFN3009S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3009S, N-Channel enhancement mode 30V/35A,RDS(ON)=8.5m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/20A,RDS(ON)=11.5m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited f

 8.1. Size:863K  alfa-mos
 afn3006s.pdf pdf_icon

AFN3009S

AFN3006S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3006S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/30A,RDS(ON)=9m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 9.1. Size:853K  alfa-mos
 afn3019s.pdf pdf_icon

AFN3009S

AFN3019S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3019S, N-Channel enhancement mode 30V/35A,RDS(ON)=9m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/20A,RDS(ON)=13m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for l

 9.2. Size:772K  alfa-mos
 afn3025s.pdf pdf_icon

AFN3009S

AFN3025S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3025S, N-Channel enhancement mode 30V/9.0A,RDS(ON)=32m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/7.0A,RDS(ON)=36m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.0A,RDS(ON)=42m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Sup

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN2330, AFN2330A, AFN2336A, AFN2354, AFN2376, AFN2604, AFN2912W, AFN3006S, IRF9540, AFN3015S, AFN3016S, AFN3019S, AFN3025S, AFN3030, AFN3302W, AFN3306WS, AFN3309WS