AFN3406 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN3406  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN3406

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3406 даташит

 ..1. Size:578K  alfa-mos
 afn3406.pdf pdf_icon

AFN3406

AFN3406 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3406, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=42m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.5A,RDS(ON)=52m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 0.1. Size:710K  alfa-mos
 afn3406as.pdf pdf_icon

AFN3406

AFN3406AS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3406AS, N-Channel enhancement mode 30V/2.8A,RDS(ON)=45m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/2.4A,RDS(ON)=55m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 0.2. Size:710K  alfa-mos
 afn3406a.pdf pdf_icon

AFN3406

AFN3406A Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3406A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=48m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/1.8A,RDS(ON)=58m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

 0.3. Size:578K  alfa-mos
 afn3406s.pdf pdf_icon

AFN3406

AFN3406S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3406S, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=40m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN3316W, AFN3400, AFN3400A, AFN3400AS, AFN3400S, AFN3402, AFN3402A, AFN3404, 5N65, AFN3406A, AFN3406AS, AFN3406S, AFN3410, AFN3414, AFN3414A, AFN3414S, AFN3416