AFN3414S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN3414S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN3414S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3414S даташит

 ..1. Size:521K  alfa-mos
 afn3414s.pdf pdf_icon

AFN3414S

AFN3414S Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3414S, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.4A,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=105m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low S

 7.1. Size:568K  alfa-mos
 afn3414.pdf pdf_icon

AFN3414S

AFN3414 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3414, N-Channel enhancement mode 20V/3.6A,RDS(ON)=58m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=68m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=88m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 7.2. Size:700K  alfa-mos
 afn3414a.pdf pdf_icon

AFN3414S

AFN3414A Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3414A, N-Channel enhancement mode 20V/2.4A,RDS(ON)=70m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/2.0A,RDS(ON)=80m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.8A,RDS(ON)=100m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low S

 8.1. Size:554K  alfa-mos
 afn3416.pdf pdf_icon

AFN3414S

AFN3416 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3416, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=26m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=30m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=36m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN3404, AFN3406, AFN3406A, AFN3406AS, AFN3406S, AFN3410, AFN3414, AFN3414A, AON7506, AFN3416, AFN3424, AFN3424A, AFN3426, AFN3430W, AFN3432, AFN3436, AFN3446