Справочник MOSFET. AFN3416

 

AFN3416 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN3416
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3416 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  alfa-mos
 afn3416.pdf pdf_icon

AFN3416

AFN3416 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3416, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=30m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=36m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 8.1. Size:568K  alfa-mos
 afn3414.pdf pdf_icon

AFN3416

AFN3414 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3414, N-Channel enhancement mode 20V/3.6A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=68m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 8.2. Size:700K  alfa-mos
 afn3414a.pdf pdf_icon

AFN3416

AFN3414A Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3414A, N-Channel enhancement mode 20V/2.4A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/2.0A,RDS(ON)=80m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.8A,RDS(ON)=100m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low S

 8.3. Size:521K  alfa-mos
 afn3414s.pdf pdf_icon

AFN3416

AFN3414S Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3414S, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.4A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=105m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.