AFN4134 - аналоги и даташиты транзистора

 

AFN4134 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AFN4134
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFN4134

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4134 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  alfa-mos
 afn4134.pdf pdf_icon

AFN4134

AFN4134 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4134, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 0.1. Size:481K  alfa-mos
 afn4134w.pdf pdf_icon

AFN4134

AFN4134W Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4134W, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=16m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.1. Size:571K  alfa-mos
 afn4172s.pdf pdf_icon

AFN4134

AFN4172S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4172S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=12m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/13A,RDS(ON)=15m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.2. Size:504K  alfa-mos
 afn4102w.pdf pdf_icon

AFN4134

AFN4102W Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4102W, N-Channel enhancement mode 100V/3.8A,RDS(ON)=158m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.0A,RDS(ON)=175m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN3606S , AFN3609S , AFN3630 , AFN3684S , AFN3806W , AFN3814W , AFN4048WS , AFN4102W , STP65NF06 , AFN4134W , AFN4172S , AFN4172WS , AFN4210 , AFN4210W , AFN4214 , AFN4214W , AFN4228 .

History: 7N65G-TM3-T | GP2M002A065XX | SFG10S20GF | STW28N65M2 | STW26NM60ND | 2SK4037 | IRFHE4250D

 

 
Back to Top

 


 
.