Справочник MOSFET. AFN4422

 

AFN4422 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN4422
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFN4422

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4422 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  alfa-mos
 afn4422.pdf pdf_icon

AFN4422

AFN4422 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4422, N-Channel enhancement mode 30V/ 6.8A,RDS(ON)=36m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/ 6.0A,RDS(ON)=42m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/ 5.2A,RDS(ON)=50m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Su

 8.1. Size:574K  alfa-mos
 afn4424.pdf pdf_icon

AFN4422

AFN4424 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4424, N-Channel enhancement mode 40V/8A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/6A,RDS(ON)= 36m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 8.2. Size:575K  alfa-mos
 afn4424w.pdf pdf_icon

AFN4422

AFN4424W Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4424W, N-Channel enhancement mode 40V/8A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/6A,RDS(ON)= 28m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.1. Size:600K  alfa-mos
 afn4440w.pdf pdf_icon

AFN4422

AFN4440W Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4440W, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/5.6A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN4210 , AFN4210W , AFN4214 , AFN4214W , AFN4228 , AFN4248W , AFN4412 , AFN4412W , MMD60R360PRH , AFN4424 , AFN4424W , AFN4440 , AFN4440W , AFN4486 , AFN4546 , AFN4634WS , AFN4804 .

History: AM3413P

 

 
Back to Top

 


 
.