AFN4804 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN4804  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN4804

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4804 даташит

 ..1. Size:537K  alfa-mos
 afn4804.pdf pdf_icon

AFN4804

AFN4804 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4804, N-Channel enhancement mode 40V/16A,RDS(ON)= 48m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/10A,RDS(ON)= 70m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 8.1. Size:581K  alfa-mos
 afn4808w.pdf pdf_icon

AFN4804

AFN4808W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4808W, N-Channel enhancement mode 20V/6.2A,RDS(ON)=30m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.6A,RDS(ON)=35m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.8A,RDS(ON)=42m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

 9.1. Size:515K  alfa-mos
 afn4822ws.pdf pdf_icon

AFN4804

AFN4822WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4822WS, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=34m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.0A,RDS(ON)=44m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.2. Size:515K  alfa-mos
 afn4822s.pdf pdf_icon

AFN4804

AFN4822S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4822S, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=30m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.0A,RDS(ON)=42m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN4422, AFN4424, AFN4424W, AFN4440, AFN4440W, AFN4486, AFN4546, AFN4634WS, IRFZ44N, AFN4808W, AFN4822S, AFN4822WS, AFN4850WS, AFN4874WS, AFN4896, AFN4900W, AFN4906