Справочник MOSFET. AFN4906

 

AFN4906 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN4906
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFN4906

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  alfa-mos
 afn4906.pdf pdf_icon

AFN4906

AFN4906 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4906, N-Channel enhancement mode 40V/6.8A,RDS(ON)=52m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/5.6A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 8.1. Size:498K  alfa-mos
 afn4900w.pdf pdf_icon

AFN4906

AFN4900W Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4900W, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=115m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/5.6A,RDS(ON)=140m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.1. Size:576K  alfa-mos
 afn4924.pdf pdf_icon

AFN4906

AFN4924 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4924, N-Channel enhancement mode 40V/8A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/6A,RDS(ON)= 38m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 9.2. Size:602K  alfa-mos
 afn4946w.pdf pdf_icon

AFN4906

AFN4946W Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4946W, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/5.6A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN4804 , AFN4808W , AFN4822S , AFN4822WS , AFN4850WS , AFN4874WS , AFN4896 , AFN4900W , IRF640 , AFN4922W , AFN4924 , AFN4924W , AFN4936S , AFN4936WS , AFN4946 , AFN4946BW , AFN4946W .

History: AONR34332C | IPD90N06S4-05 | PT4606 | NP82N04PUG | MTP4835Q8 | AUIRF8736M2TR

 

 
Back to Top

 


 
.