Справочник MOSFET. AFN4924W

 

AFN4924W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN4924W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4924W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  alfa-mos
 afn4924w.pdf pdf_icon

AFN4924W

AFN4924W Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4924W, N-Channel enhancement mode 40V/8A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/6A,RDS(ON)= 28m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 7.1. Size:576K  alfa-mos
 afn4924.pdf pdf_icon

AFN4924W

AFN4924 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4924, N-Channel enhancement mode 40V/8A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/6A,RDS(ON)= 38m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 8.1. Size:583K  alfa-mos
 afn4922w.pdf pdf_icon

AFN4924W

AFN4922W Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4922W, N-Channel enhancement mode 100V/2.0A,RDS(ON)=290m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/1.5A,RDS(ON)=300m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

 9.1. Size:602K  alfa-mos
 afn4946w.pdf pdf_icon

AFN4924W

AFN4946W Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4946W, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/5.6A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRL1104S | MTM24N50 | IPD50R280CE | SI1051X | 2SK242 | NDT6N70 | RSM5853P

 

 
Back to Top

 


 
.