Справочник MOSFET. AFN4946BW

 

AFN4946BW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN4946BW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFN4946BW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4946BW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  alfa-mos
 afn4946bw.pdf pdf_icon

AFN4946BW

AFN4946BW Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4946BW, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=60m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/5.6A,RDS(ON)=65m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 7.1. Size:602K  alfa-mos
 afn4946w.pdf pdf_icon

AFN4946BW

AFN4946W Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4946W, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/5.6A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited f

 7.2. Size:600K  alfa-mos
 afn4946.pdf pdf_icon

AFN4946BW

AFN4946 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4946, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/5.6A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.1. Size:576K  alfa-mos
 afn4924.pdf pdf_icon

AFN4946BW

AFN4924 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4924, N-Channel enhancement mode 40V/8A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/6A,RDS(ON)= 38m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN4900W , AFN4906 , AFN4922W , AFN4924 , AFN4924W , AFN4936S , AFN4936WS , AFN4946 , 10N60 , AFN4946W , AFN4996 , AFN4997 , AFN4998 , AFN4998W , AFN5004S , AFN501DEA , AFN5800 .

History: SWB046R08E9T | 2SK2063 | 2SJ604-S

 

 
Back to Top

 


 
.