Справочник MOSFET. AFN4998

 

AFN4998 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFN4998
   Маркировка: 4998
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P

 Аналог (замена) для AFN4998

 

 

AFN4998 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:582K  alfa-mos
 afn4998.pdf

AFN4998 AFN4998

AFN4998 Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4998, N-Channel enhancement mode 100V/5.6A,RDS(ON)=130m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/4.2A,RDS(ON)=145m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 0.1. Size:583K  alfa-mos
 afn4998w.pdf

AFN4998 AFN4998

AFN4998W Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4998W, N-Channel enhancement mode 100V/5.6A,RDS(ON)=120m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/4.2A,RDS(ON)=130m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

 8.1. Size:574K  alfa-mos
 afn4996.pdf

AFN4998 AFN4998

AFN4996 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4996, N-Channel enhancement mode 90V/7.6A,RDS(ON)=68m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/6.8A,RDS(ON)=75m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 8.2. Size:575K  alfa-mos
 afn4997.pdf

AFN4998 AFN4998

AFN4997 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4997, N-Channel enhancement mode 90V/6.8A,RDS(ON)=68m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/5.6A,RDS(ON)=75m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top