AFN5800W datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AFN5800W 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: DFN2X5
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AFN5800W
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AFN5800W даташит
afn5800w.pdf
AFN5800W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5800W, N-Channel enhancement mode 20V/8.0A,RDS(ON)=19m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/7.0A,RDS(ON)=20m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/6.0A,RDS(ON)=24m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V
afn5800.pdf
AFN5800 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5800, N-Channel enhancement mode 20V/7.0A,RDS(ON)=23m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/6.0A,RDS(ON)=25m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.5A,RDS(ON)=28m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe
afn5808w.pdf
AFN5808W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5808W, N-Channel enhancement mode 20V/6.2A,RDS(ON)=32m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.6A,RDS(ON)=38m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.8A,RDS(ON)=50m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su
Другие IGBT... AFN4946W, AFN4996, AFN4997, AFN4998, AFN4998W, AFN5004S, AFN501DEA, AFN5800, 8205A, AFN5808W, AFN5904W, AFN5908W, AFN6011S, AFN6018S, AFN6202S, AFN6424S, AFN6520S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627



