Справочник MOSFET. AFN7002KAS

 

AFN7002KAS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFN7002KAS
   Маркировка: 2KS*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для AFN7002KAS

 

 

AFN7002KAS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:736K  alfa-mos
 afn7002kas.pdf

AFN7002KAS AFN7002KAS

AFN7002KAS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002KAS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A , RDS(ON)=2.4@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A , R DS(ON)=3.0@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 7.1. Size:397K  alfa-mos
 afn7002as.pdf

AFN7002KAS AFN7002KAS

AFN7002AS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002AS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A , RDS(ON)=3000m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A , R DS(ON)=4000m@VGS=5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 7.2. Size:538K  alfa-mos
 afn7002ds.pdf

AFN7002KAS AFN7002KAS

AFN7002DS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002DS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A,RDS(ON)=3000m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A,RDS(ON)=4000m@VGS=5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top