AFN7400 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN7400  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN7400

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN7400 даташит

 ..1. Size:569K  alfa-mos
 afn7400.pdf pdf_icon

AFN7400

AFN7400 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7400, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=82m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.0A,RDS(ON)=90m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=102m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Supe

 8.1. Size:573K  alfa-mos
 afn7402.pdf pdf_icon

AFN7400

AFN7402 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7402, N-Channel enhancement mode 20V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=70m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=90m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 9.1. Size:583K  alfa-mos
 afn7420.pdf pdf_icon

AFN7400

AFN7420 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7420, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/2.6A,RDS(ON)=70m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.2. Size:553K  alfa-mos
 afn7412.pdf pdf_icon

AFN7400

AFN7412 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7412, N-Channel enhancement mode 20V/3.8A,RDS(ON)=52m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=56m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=68m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN6561, AFN6562, AFN6820, AFN6830, AFN7002AS, AFN7002DS, AFN7002KAS, AFN7106S, K4145, AFN7402, AFN7412, AFN7420, AFN7424S, AFN7472S, AFN8205, AFN8411, AFN8412