AFN8411 - аналоги и даташиты транзистора

 

AFN8411 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AFN8411
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для AFN8411

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN8411 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  alfa-mos
 afn8411.pdf pdf_icon

AFN8411

AFN8411 Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8411, N-Channel enhancement mode 100V/5.8A,RDS(ON)=115m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/4.6A,RDS(ON)=125m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 8.1. Size:551K  alfa-mos
 afn8412.pdf pdf_icon

AFN8411

AFN8412 Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8412, N-Channel enhancement mode 100V/3.6A,RDS(ON)=300m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.0A,RDS(ON)=310m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.1. Size:594K  alfa-mos
 afn8471.pdf pdf_icon

AFN8411

AFN8471 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8471, N-Channel enhancement mode 60V/5.8A,RDS(ON)=54m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/4.6A,RDS(ON)=60m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.2. Size:584K  alfa-mos
 afn8439.pdf pdf_icon

AFN8411

AFN8439 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8439, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=45m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.5A,RDS(ON)=55m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN7106S , AFN7400 , AFN7402 , AFN7412 , AFN7420 , AFN7424S , AFN7472S , AFN8205 , AON6380 , AFN8412 , AFN8439 , AFN8471 , AFN8495 , AFN8816 , AFN8822 , AFN8822S , AFN8832 .

History: SWP17N80K | OSG95R500HF | AP4232BGM-HF | OSG90R340KF | JMTQ90N02A | MMFT60R380PCTH | OSG95R500FF

 

 
Back to Top

 


 
.