AFP2319A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP2319A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP2319A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP2319A даташит

 ..1. Size:689K  alfa-mos
 afp2319a.pdf pdf_icon

AFP2319A

AFP2319A Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2319A, P-Channel enhancement mode -40V/-3.0A,RDS(ON)=100m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-2.4A,RDS(ON)=130m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 0.1. Size:718K  alfa-mos
 afp2319as.pdf pdf_icon

AFP2319A

AFP2319AS Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2319AS, P-Channel enhancement mode -40V/-3.0A,RDS(ON)=90m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-2.4A,RDS(ON)=120m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 8.1. Size:557K  alfa-mos
 afp2317.pdf pdf_icon

AFP2319A

AFP2317 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2317, P-Channel enhancement mode -40V/-3.6A,RDS(ON)=52m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-3.2A,RDS(ON)=67m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 8.2. Size:490K  alfa-mos
 afp2311.pdf pdf_icon

AFP2319A

AFP2311 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2311, P-Channel enhancement mode -20V/-4.0A,RDS(ON)=56m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=100m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP2303, AFP2303A, AFP2307A, AFP2309, AFP2309A, AFP2311, AFP2311A, AFP2317, 60N06, AFP2319AS, AFP2323, AFP2323A, AFP2333A, AFP2337A, AFP2341, AFP2343A, AFP2367AS