AFP3413 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP3413  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP3413

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP3413 даташит

 ..1. Size:520K  alfa-mos
 afp3413.pdf pdf_icon

AFP3413

AFP3413 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=95m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.6A,RDS(ON)=125m @VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=205m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited for

 0.1. Size:651K  alfa-mos
 afp3413a.pdf pdf_icon

AFP3413

AFP3413A Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3413A, P-Channel enhancement mode -20V/-2.6A,RDS(ON)=120m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.2A,RDS(ON)=170m @VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.2A,RDS(ON)=230m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited f

 8.1. Size:481K  alfa-mos
 afp3411.pdf pdf_icon

AFP3413

AFP3411 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3411, P-Channel enhancement mode -30V/-6.0A,RDS(ON)=36m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.5A,RDS(ON)=46m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 8.2. Size:557K  alfa-mos
 afp3415.pdf pdf_icon

AFP3413

AFP3415 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3415, P-Channel enhancement mode -20V/-4.9A,RDS(ON)=45m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-3.4A,RDS(ON)=58m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.2A,RDS(ON)=85m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP3401AS, AFP3401S, AFP3403, AFP3403A, AFP3405, AFP3407AS, AFP3407S, AFP3411, IRF3710, AFP3413A, AFP3415, AFP3425, AFP3459, AFP3481S, AFP3485, AFP3497, AFP3679S