Справочник MOSFET. AFP8451

 

AFP8451 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP8451
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.305 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для AFP8451

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP8451 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  alfa-mos
 afp8451.pdf pdf_icon

AFP8451

AFP8451 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8451, P-Channel enhancement mode -60V/-3.0A,RDS(ON)=305m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-2.0A,RDS(ON)=330m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 8.1. Size:537K  alfa-mos
 afp8452.pdf pdf_icon

AFP8451

AFP8452 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8452, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=70m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=90m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 9.1. Size:797K  alfa-mos
 afp8463.pdf pdf_icon

AFP8451

AFP8463 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8463, P-Channel enhancement mode -40V/-6.0A,RDS(ON)= 46m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-4.2A,RDS(ON)= 62m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.2. Size:493K  alfa-mos
 afp8483.pdf pdf_icon

AFP8451

AFP8483 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8483, P-Channel enhancement mode -100V/-3.8A,RDS(ON)= 260m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100V/-2.6A,RDS(ON)= 290m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particula

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFP4953WS , AFP6405S , AFP6405WS , AFP6459 , AFP6801 , AFP6993 , AFP7617WS , AFP8206 , IRFZ24N , AFP8452 , AFP8463 , AFP8473 , AFP8483 , AFP8803 , AFP8823 , AFP8833 , AFP8931 .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | KQB9N50 | PA567JA | 2SK2032 | BSO301SPH

 

 
Back to Top

 


 
.