Справочник MOSFET. AFP8833

 

AFP8833 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFP8833
   Маркировка: 8833
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1000 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8P

 Аналог (замена) для AFP8833

 

 

AFP8833 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  alfa-mos
 afp8833.pdf

AFP8833 AFP8833

AFP8833 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8833, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.0A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 9.1. Size:680K  alfa-mos
 afp8803.pdf

AFP8833 AFP8833

AFP8803 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8803, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=32m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.0A,RDS(ON)=42m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=58m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 9.2. Size:599K  alfa-mos
 afp8823.pdf

AFP8833 AFP8833

AFP8823 Alfa-MOS 20V Common-Drain P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8823, P-Channel enhancement mode -20V/-7.2A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.8A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly sui

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top