AFP8931 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP8931  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: SOT-89-3L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP8931

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP8931 даташит

 ..1. Size:595K  alfa-mos
 afp8931.pdf pdf_icon

AFP8931

AFP8931 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8931, P-Channel enhancement mode -30V/-4.6A,RDS(ON)= 36m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.6A,RDS(ON)= 46m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.1. Size:915K  alfa-mos
 afp8943.pdf pdf_icon

AFP8931

AFP8943 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8943, P-Channel enhancement mode -40V/-4.6A,RDS(ON)= 43m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-3.6A,RDS(ON)= 58m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.2. Size:606K  alfa-mos
 afp8989.pdf pdf_icon

AFP8931

AFP8989 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8989, P-Channel enhancement mode -60V/-3.6A,RDS(ON)= 115m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-2.6A,RDS(ON)= 125m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.3. Size:689K  alfa-mos
 afp8995.pdf pdf_icon

AFP8931

AFP8995 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8995, P-Channel enhancement mode -30V/-4.6A,RDS(ON)= 125m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.6A,RDS(ON)= 165m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP8451, AFP8452, AFP8463, AFP8473, AFP8483, AFP8803, AFP8823, AFP8833, 5N60, AFP8943, AFP8989, AFP8995, AFP9407, AFP9434WS, AFP9435S, AFP9435WS, AFP9510S