AFP9434WS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AFP9434WS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: SOP-8P
AFP9434WS Datasheet (PDF)
afp9434ws.pdf
AFP9434WS Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9434WS, P-Channel enhancement mode -20V/-6.5A,RDS(ON)=42m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.5A,RDS(ON)=58m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.5A,RDS(ON)=72m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for l
afp9435ws.pdf
AFP9435WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9435WS, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=58m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=78m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s
afp9435s.pdf
AFP9435S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9435S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=52m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=76m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui
afp9407.pdf
AFP9407 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9407, P-Channel enhancement mode -60V/-4.6A,RDS(ON)= 100m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3.8A,RDS(ON)= 120m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918