AFP9435S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP9435S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP9435S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP9435S даташит

 ..1. Size:593K  alfa-mos
 afp9435s.pdf pdf_icon

AFP9435S

AFP9435S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9435S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=52m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=76m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 7.1. Size:593K  alfa-mos
 afp9435ws.pdf pdf_icon

AFP9435S

AFP9435WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9435WS, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=58m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=78m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 8.1. Size:559K  alfa-mos
 afp9434ws.pdf pdf_icon

AFP9435S

AFP9434WS Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9434WS, P-Channel enhancement mode -20V/-6.5A,RDS(ON)=42m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.5A,RDS(ON)=58m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.5A,RDS(ON)=72m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for l

 9.1. Size:495K  alfa-mos
 afp9407.pdf pdf_icon

AFP9435S

AFP9407 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9407, P-Channel enhancement mode -60V/-4.6A,RDS(ON)= 100m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3.8A,RDS(ON)= 120m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP8823, AFP8833, AFP8931, AFP8943, AFP8989, AFP8995, AFP9407, AFP9434WS, IRF520, AFP9435WS, AFP9510S, AFP9565S, AFP9566W, AFP9575S, AFP9576, AFP9577, ALD1101APAL