AFP9566W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP9566W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP9566W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP9566W даташит

 ..1. Size:784K  alfa-mos
 afp9566w.pdf pdf_icon

AFP9566W

AFP9566W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9566W, P-Channel enhancement mode -40V/-5.0A,RDS(ON)= 80m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-3.5A,RDS(ON)= 105m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

 8.1. Size:821K  alfa-mos
 afp9565s.pdf pdf_icon

AFP9566W

AFP9565S Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9565S, P-Channel enhancement mode -40V/ -8.6A,RDS(ON)= 58m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/ -6.2A,RDS(ON)= 86m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particular

 9.1. Size:830K  alfa-mos
 afp9577.pdf pdf_icon

AFP9566W

AFP9577 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9577, P-Channel enhancement mode -60V/-4A,RDS(ON)= 305m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3A,RDS(ON)= 330m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 9.2. Size:751K  alfa-mos
 afp9576.pdf pdf_icon

AFP9566W

AFP9576 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9576, P-Channel enhancement mode -60V/-14A,RDS(ON)= 115m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-10A,RDS(ON)= 125m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP8989, AFP8995, AFP9407, AFP9434WS, AFP9435S, AFP9435WS, AFP9510S, AFP9565S, 2N60, AFP9575S, AFP9576, AFP9577, ALD1101APAL, ALD1101ASAL, ALD1101BPAL, ALD1101BSAL, ALD1101PAL