IRFB3006PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFB3006PBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 200 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 182 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFB3006PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB3006PBF даташит

 ..1. Size:245K  international rectifier
 irfb3006pbf.pdf pdf_icon

IRFB3006PBF

IRFB3006PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification RDS(on) typ. 2.1m in SMPS l Uninterruptible Power Supply max. 2.5m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) 195A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic D dV/dt Ruggedness l Full

 6.1. Size:288K  international rectifier
 irfb3006gpbf.pdf pdf_icon

IRFB3006PBF

PD - 96238 IRFB3006GPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 2.1m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 2.5m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 270A ID (Package Limited) 195A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

 6.2. Size:246K  inchange semiconductor
 irfb3006.pdf pdf_icon

IRFB3006PBF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3006 IIRFB3006 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2.5m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMU

 7.1. Size:457K  international rectifier
 irfb3004pbf irfs3004pbf irfsl3004pbf.pdf pdf_icon

IRFB3006PBF

PD - 97377 IRFB3004PbF IRFS3004PbF IRFSL3004PbF HEXFET Power MOSFET Applications D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 40V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 1.4m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 1.75m G ID (Silicon Limited) 340A c Benefits ID (Package Limited) 195A S l Improved Gate,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFB20N50K, IRFB20N50KPBF, IRFB23N15DPBF, IRFB23N20DPBF, IRFB260NPBF, IRFB3004GPBF, IRFB3004PBF, IRFB3006GPBF, 7N65, IRFB3077GPBF, IRFB3077PBF, IRFB31N20DPBF, IRFB3206GPBF, IRFB3206PBF, IRFB3207PBF, IRFB3207ZGPBF, IRFB3207ZPBF