IRFB3307PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFB3307PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFB3307PBF Datasheet (PDF)
irfb3307pbf.pdf

PD - 95706CIRFB3307PbFIRFS3307PbFIRFSL3307PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSDVDSS75Vl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching RDS(on) typ.5.0ml Hard Switched and High Frequency CircuitsG max. 6.3mID120ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessl Fully Characterize
irfb3307zgpbf.pdf

PD - 96212AIRFB3307ZGPbFApplicationsl High Efficiency Synchronous Rectification inHEXFET Power MOSFETSMPSl Uninterruptible Power SupplyDVDSS75Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.l Hard Switched and High Frequency Circuits 4.6m max. 5.8mGID (Silicon Limited)128ABenefitsSID (Package Limited)120Al Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Rugg
irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfs3307ztrlpbf irfsl3307zpbf.pdf

PD - 97214DIRFB3307ZPbFIRFS3307ZPbFApplicationsIRFSL3307ZPbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching D VDSS75Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ.4.6m max. 5.8mGID (Silicon Limited)128ABenefitsID (Package Limited)120ASl Improved Gate, Av
irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfsl3307zpbf.pdf

PD - 97214DIRFB3307ZPbFIRFS3307ZPbFApplicationsIRFSL3307ZPbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching D VDSS75Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ.4.6m max. 5.8mGID (Silicon Limited)128ABenefitsID (Package Limited)120ASl Improved Gate, Av
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: 2SK3117 | NTMD6N03R2 | FDMS0309AS
History: 2SK3117 | NTMD6N03R2 | FDMS0309AS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent