Справочник MOSFET. IRFB4215PBF

 

IRFB4215PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFB4215PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 170 nC
   trⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для IRFB4215PBF

 

 

IRFB4215PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  international rectifier
 irfb4215pbf.pdf

IRFB4215PBF IRFB4215PBF

PD - 95757AIRFB4215PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDVDSS = 60Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 9.0mGl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 115Al Optimized for SMPS Applications Sl Lead-FreeDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced

 6.1. Size:201K  international rectifier
 irfb4215.pdf

IRFB4215PBF IRFB4215PBF

PD - 95884IRFB4215HEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDVDSS = 60Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 9.0mGl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 115Al Optimized for SMPS Applications SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techn

 7.1. Size:293K  international rectifier
 irfb4212pbf.pdf

IRFB4215PBF IRFB4215PBF

PD - 96918ADIGITAL AUDIO MOSFETIRFB4212PbFFeaturesKey Parameters Key parameters optimized for Class-D audioVDS 100 V amplifier applicationsm:RDS(ON) typ. @ 10V 72.5 Low RDSON for improved efficiencyQg typ. 15 nC Low QG and QSW for better THD and improvedQsw typ. 8.3 nC efficiencyRG(int) typ. 2.2 Low QRR for better THD and lower EMITJ max 175 C

 7.2. Size:244K  inchange semiconductor
 irfb4212.pdf

IRFB4215PBF IRFB4215PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4212IIRFB4212FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 72.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top