IRFB4310PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFB4310PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для IRFB4310PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB4310PBF даташит

 ..1. Size:376K  international rectifier
 irfb4310pbf irfs4310pbf irfsl4310pbf.pdf pdf_icon

IRFB4310PBF

PD - 14275D IRFB4310PbF IRFS4310PbF IRFSL4310PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 5.6m G max. 7.0m ID 130A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized

 6.1. Size:285K  international rectifier
 irfb4310gpbf.pdf pdf_icon

IRFB4310PBF

PD - 96190 IRFB4310GPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 5.6m G max. 7.0m ID 130A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

 6.2. Size:324K  international rectifier
 irfb4310zpbf irfs4310zpbf irfsl4310zpbf.pdf pdf_icon

IRFB4310PBF

PD - 97115D IRFB4310ZPbF IRFS4310ZPbF IRFSL4310ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 127A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate,

 6.3. Size:291K  international rectifier
 irfb4310zgpbf.pdf pdf_icon

IRFB4310PBF

PD - 96189 IRFB4310ZGPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 127A ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D Ruggedn

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFB4215, IRFB4215PBF, IRFB4227PBF, IRFB4228PBF, IRFB4229PBF, IRFB4233PBF, IRFB42N20DPBF, IRFB4310GPBF, 10N65, IRFB4310ZGPBF, IRFB4310ZPBF, IRFB4321GPBF, IRFB4321PBF, IRFB4332PBF, IRFB4410ZGPBF, IRFB4410ZPBF, IRFB4510PBF