AM1925PE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM1925PE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для AM1925PE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1925PE даташит

 ..1. Size:408K  analog power
 am1925pe.pdf pdf_icon

AM1925PE

Analog Power AM1925PE P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 160 @ VGS = -4.5V -1.2 Low thermal impedance -20 210 @ VGS = -2.5V -1.1 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MA

 9.1. Size:93K  analog power
 am1922ne.pdf pdf_icon

AM1925PE

Analog Power AM1922NE N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) (m ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 88 @ VGS = 4.5V 1.6 dissipation. Typical applications are DC-DC 20 converters and power management in portable and 120 @ VGS = 2.5V 1.3 batt

Другие IGBT... AM1523CE, AM1535CE, AM1537CE, AM1541CE, AM1561CE, AM1580CE, AM1590CE, AM1922NE, IRF9540N, AM1936NE, AM1960NE, AM1963PE, AM20N06-90D, AM20N06-90I, AM20N10-115D, AM20N10-130D, AM20N10-180D