AM2305P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM2305P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 88 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.043 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
AM2305P Datasheet (PDF)
am2305p.pdf
Analog Power AM2305PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)43 @ VGS = -4.5V -4.5 Low thermal impedance -20 54 @ VGS = -2.5V -4.1 Fast switching speed 120 @ VGS = -1.8V -2.7Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Ci
am2305pe.pdf
Analog Power AM2305PEP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)43 @ VGS = -4.5V -4.5 Low thermal impedance -20 54 @ VGS = -2.5V -4.1 Fast switching speed 120 @ VGS = -1.8V -2.7Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion C
am2305pe.pdf
AM2305PEwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23
am2305.pdf
AiT Semiconductor Inc. AM2305 www.ait-ic.com MOSFET -30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM2305 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4A, R = 55m@V = -10V DS(ON) GS mode power field effect transistor is produced using -30V/-3A, R = 64m@V = -4.5V DS(ON) GShigh cell density. Advanced trench technology to -30V/-2A, R = 85m@V = -2.5V DS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
