Справочник MOSFET. AM2326N

 

AM2326N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM2326N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для AM2326N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM2326N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  analog power
am2326n.pdfpdf_icon

AM2326N

Analog Power AM2326NN-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize High Cell Density process. Low VDS (V) rDS(on) ()ID (A)rDS(on) assures minimal power loss and 0.070 @ VGS = 4.5V 2.2conserves energy, making this device ideal for use in power management circuitry. 200.080@ VGS = 2.5V 2.0Typical applications are DC-DC 0.120@ VG

 9.1. Size:81K  analog power
am2321pe.pdfpdf_icon

AM2326N

Analog Power AM2321PEP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.079 @ VGS = -4.5V -4.1-20battery-powered product

 9.2. Size:312K  analog power
am2320ne.pdfpdf_icon

AM2326N

Analog Power AM2320NEN-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)18 @ VGS = 4.5V7.0 Low thermal impedance 2021 @ VGS = 2.5V6.5 Fast switching speed SOT-23 Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUT

 9.3. Size:127K  analog power
am2325p.pdfpdf_icon

AM2326N

Analog Power AM2325PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to PRODUCT SUMMARYprovide low rDS(on) and to ensure minimal VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)power loss and heat dissipation. Typical 0.055 @ VGS = -4.5V -3.6applications are DC-DC converters and power management in portable and -200.089 @ VGS = -2.5V

Другие MOSFET... AM2319P , AM2320NE , AM2321P , AM2321PE , AM2322N , AM2323P , AM2324N , AM2325P , AO4468 , AM2327P , AM2328N , AM2328NE , AM2329P , AM2330N , AM2330NE , AM2332N , AM2334N .

History: SM4805DSK | AP9410GH | BSS138DW

 

 
Back to Top

 


 
.