Справочник MOSFET. AM2337P

 

AM2337P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM2337P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM2337P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  analog power
am2337p.pdfpdf_icon

AM2337P

Analog Power AM2337PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)112 @ VGS = -4.5V -2.8 Low thermal impedance -30172 @ VGS = -2.5V -2.3 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAX

 9.1. Size:294K  analog power
am2339p.pdfpdf_icon

AM2337P

Analog Power AM2339PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)57 @ VGS = -4.5V -3.9 Low thermal impedance -3089 @ VGS = -2.5V -3.2 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

 9.2. Size:295K  analog power
am2334ne.pdfpdf_icon

AM2337P

Analog Power AM2334NEN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)60 @ VGS = 4.5V3.5 Low thermal impedance 3082 @ VGS = 2.5V3.0 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 9.3. Size:168K  analog power
am2334n.pdfpdf_icon

AM2337P

Analog Power AM2334NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 60 @ VGS = 4.5V 3.5converters and power management in portable and 30battery-powered products s

Другие MOSFET... AM2328NE , AM2329P , AM2330N , AM2330NE , AM2332N , AM2334N , AM2334NE , AM2336N , 50N06 , AM2339P , AM2340N , AM2340NE , AM2341P , AM2342 , AM2342N , AM2342NE , AM2343P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.