Справочник MOSFET. AM2372N

 

AM2372N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM2372N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для AM2372N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM2372N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  analog power
am2372n.pdfpdf_icon

AM2372N

Analog Power AM2372NN-Channel 100V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) () ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 2 @ VGS = 10 V 0.7battery-powered products such a

 9.1. Size:283K  analog power
am2371p.pdfpdf_icon

AM2372N

Analog Power AM2371PP-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) ()VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)1.2 @ VGS = -10V -1 Low thermal impedance-1001.3 @ VGS = -4.5V -0.9 Fast switching speedTypical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters

 9.2. Size:293K  analog power
am2374n.pdfpdf_icon

AM2372N

Analog Power AM2374NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)92 @ VGS = 10V3.1 Low thermal impedance 10099 @ VGS = 4.5V3.0 Fast switching speed Typical Applications: SOT-23 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

 9.3. Size:291K  analog power
am2370n.pdfpdf_icon

AM2372N

Analog Power AM2370NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)280 @ VGS = 10V1.5 Low thermal impedance 100355 @ VGS = 4.5V1.3 Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost con

Другие MOSFET... AM2358NE , AM2359P , AM2359PE , AM2360N , AM2361P , AM2362N , AM2370N , AM2371P , IRFP260 , AM2373P , AM2374N , AM2381P , AM2390N , AM2391P , AM2392N , AM2394NE , AM2398N .

History: CTD06N017 | MP10N60EIC

 

 
Back to Top

 


 
.