AM2373P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM2373P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для AM2373P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM2373P даташит

 ..1. Size:276K  analog power
 am2373p.pdf pdf_icon

AM2373P

Analog Power AM2373P P-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) ( ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 6 @ VGS = -10V -0.39 Low thermal impedance -100 6.5 @ VGS = -4.5V -0.37 Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost

 9.1. Size:283K  analog power
 am2371p.pdf pdf_icon

AM2373P

Analog Power AM2371P P-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) ( ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 1.2 @ VGS = -10V -1 Low thermal impedance -100 1.3 @ VGS = -4.5V -0.9 Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters

 9.2. Size:293K  analog power
 am2374n.pdf pdf_icon

AM2373P

Analog Power AM2374N N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 92 @ VGS = 10V 3.1 Low thermal impedance 100 99 @ VGS = 4.5V 3.0 Fast switching speed Typical Applications SOT-23 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

 9.3. Size:291K  analog power
 am2370n.pdf pdf_icon

AM2373P

Analog Power AM2370N N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 280 @ VGS = 10V 1.5 Low thermal impedance 100 355 @ VGS = 4.5V 1.3 Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost con

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AM2359P, AM2359PE, AM2360N, AM2361P, AM2362N, AM2370N, AM2371P, AM2372N, STP75NF75, AM2374N, AM2381P, AM2390N, AM2391P, AM2392N, AM2394NE, AM2398N, AM2398NE