Справочник MOSFET. AM2374N

 

AM2374N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM2374N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для AM2374N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM2374N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  analog power
 am2374n.pdf pdf_icon

AM2374N

Analog Power AM2374NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)92 @ VGS = 10V3.1 Low thermal impedance 10099 @ VGS = 4.5V3.0 Fast switching speed Typical Applications: SOT-23 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

 9.1. Size:283K  analog power
 am2371p.pdf pdf_icon

AM2374N

Analog Power AM2371PP-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) ()VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)1.2 @ VGS = -10V -1 Low thermal impedance-1001.3 @ VGS = -4.5V -0.9 Fast switching speedTypical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters

 9.2. Size:291K  analog power
 am2370n.pdf pdf_icon

AM2374N

Analog Power AM2370NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)280 @ VGS = 10V1.5 Low thermal impedance 100355 @ VGS = 4.5V1.3 Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost con

 9.3. Size:276K  analog power
 am2373p.pdf pdf_icon

AM2374N

Analog Power AM2373PP-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) ()VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)6 @ VGS = -10V -0.39 Low thermal impedance -1006.5 @ VGS = -4.5V -0.37 Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM2359PE , AM2360N , AM2361P , AM2362N , AM2370N , AM2371P , AM2372N , AM2373P , K4145 , AM2381P , AM2390N , AM2391P , AM2392N , AM2394NE , AM2398N , AM2398NE , IRFBC40APBF .

History: FQD20N06L | 2N6896 | VBMB2658 | MMIS60R750PTH | APT30M30JFLL | NVMD6N04 | BSC082N10LSG

 

 
Back to Top

 


 
.