AM2398NE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM2398NE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.194 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для AM2398NE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM2398NE даташит

 ..1. Size:175K  analog power
 am2398ne.pdf pdf_icon

AM2398NE

Analog Power AM2398NE N-Channel 60V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.194 @ VGS = 10 V 2.2 battery-powered products suc

 7.1. Size:133K  analog power
 am2398n.pdf pdf_icon

AM2398NE

Analog Power AM2398N N-Channel 60V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) PRODUCT SUMMARY assures minimal power loss and conserves VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) energy, making this device ideal for use in 0.194 @ VGS = 10 V 2.2 power management circuitry. Typical 60 applications are power switch, power 0.273 @ VGS = 4.5V 1

 9.1. Size:278K  analog power
 am2392n.pdf pdf_icon

AM2398NE

Analog Power AM2392N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) ( ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 1.2 @ VGS = 10V 0.9 Low thermal impedance 150 1.4 @ VGS = 5.5V 0.8 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMU

 9.2. Size:287K  analog power
 am2391p.pdf pdf_icon

AM2398NE

Analog Power AM2391P P-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) ( ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 1.2 @ VGS = -10V -0.9 Low thermal impedance -150 1.3 @ VGS = -4.5V -0.8 Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AM2373P, AM2374N, AM2381P, AM2390N, AM2391P, AM2392N, AM2394NE, AM2398N, 4435, IRFBC40APBF, IRFBC40ASPBF, IRFBC40LC, IRFBC40LCPBF, IRFBC40LPBF, IRFBC40PBF, IRFBC40SPBF, IRFBE20PBF