IRFD123PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFD123PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
trⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: DIP-4
IRFD123PBF Datasheet (PDF)
irfd123pbf.pdf

IRFD123, SiHFD123Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par
irfd123.pdf

PD - 97015IRFD12306/09/05Document Number: 90161 www.vishay.com1IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com2IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com3IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com4IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com5IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com6IRFD123Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Lay
irfd123 sihfd123.pdf

IRFD123, SiHFD123Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par
irfd120pbf.pdf

PD- 95928IRFD120PbF Lead-Free10/27/04Document Number: 91128 www.vishay.com1IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com2IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com3IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com4IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com5IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com6IRFD120PbFPeak Diode Recovery
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: VBZFB20N06 | ME85P03-G | IXFT26N50
History: VBZFB20N06 | ME85P03-G | IXFT26N50



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735