IRFH4255D - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRFH4255D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IRFH4255D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH4255D

IRFH4255D Datasheet (PDF)

..1. Size:572K international rectifier
irfh4255d.pdf

FastIRFET IRFH4255DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 2.10 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 23 nC ID 30 30 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

7.1. Size:588K international rectifier
irfh4253d.pdf

FastIRFET IRFH4253DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.45 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 31 nC ID 35 35 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

7.2. Size:561K international rectifier
irfh4251d.pdf

FastIRFET IRFH4251DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.10 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 44 nC ID 45 45 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

7.3. Size:852K international rectifier
irfh4257d.pdf

FastIRFET IRFH4257DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.70 1.80 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 9.7 23 nC ID 25 25 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters Dual PQFN 5X4 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low c

7.4. Size:588K infineon
irfh4253dpbf.pdf