IRFH5010PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFH5010PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 425 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: PQFN5X6
Аналог (замена) для IRFH5010PBF
IRFH5010PBF Datasheet (PDF)
irfh5010pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD -96297IRFH5010PbFHEXFET Power MOSFETVDS100 VRDS(on) max 9.0 m(@VGS = 10V)Qg (typical)65nCRG (typical)1.2ID PQFN 5X6 mm100 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick ApplicationsFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
irfh5010pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRFH5010PbFHEXFET Power MOSFETVDS100 VRDS(on) max 9.0 m(@VGS = 10V)Qg (typical)67nCRG (typical)1.2ID PQFN 5X6 mm100 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick ApplicationsFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
irfh5010trpbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRFH5010PbFHEXFET Power MOSFETVDS100 VRDS(on) max 9.0 m(@VGS = 10V)Qg (typical)67nCRG (typical)1.2ID PQFN 5X6 mm100 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick ApplicationsFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
irfh5015pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 97446IRFH5015PbFHEXFET Power MOSFETVDS150 VRDS(on) max 31 m(@VGS = 10V)Qg (typical)33nCRG (typical)1.7ID PQFN 5X6 mm56 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Primary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
irfh5015pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRFH5015PbFHEXFET Power MOSFETVDS 150 VRDS(on) max 31 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 36 nCRG (typical) 1.7 ID PQFN 5X6 mm44 A(@Tmb = 25C)Applications Primary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![IRFH5010PBF](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRFH5010PBF](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRFH5010PBF](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C