Справочник MOSFET. AM3445P

 

AM3445P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM3445P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3445P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  analog power
am3445p.pdfpdf_icon

AM3445P

Analog Power AM3445PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs PRODUCT SUMMARYutilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) () ID (A)provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.038 @ VGS = -4.5V -5.6power loss and heat dissipation. Typical -200.054 @ VGS = -2.5V -4.8applications are DC-DC converters and power management in portabl

 9.1. Size:327K  analog power
am3444n.pdfpdf_icon

AM3445P

Analog Power AM3444NN-Channel 40-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)32 @ VGS = 10V6.5 Low thermal impedance 4044 @ VGS = 4.5V5.6 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.2. Size:87K  analog power
am3443p.pdfpdf_icon

AM3445P

Analog Power AM3443PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m(OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 65 @ V = -4.5V -4.5converters and power management in portable and GSbattery-powered products su

 9.3. Size:163K  analog power
am3447p.pdfpdf_icon

AM3445P

Analog Power AM3447PP-Channel 40-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETsutilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ()ID (A)provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.070 @ VGS = -10V -4.4power loss and heat dissipation. Typical -40applications are DC-DC converters and 0.090 @ VGS = -4.5V -3.9power management in portable a

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A | ME75N03

 

 
Back to Top

 


 
.