AM3447P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM3447P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для AM3447P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3447P даташит

 ..1. Size:163K  analog power
am3447p.pdfpdf_icon

AM3447P

Analog Power AM3447P P-Channel 40-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.070 @ VGS = -10V -4.4 power loss and heat dissipation. Typical -40 applications are DC-DC converters and 0.090 @ VGS = -4.5V -3.9 power management in portable a

 9.1. Size:327K  analog power
am3444n.pdfpdf_icon

AM3447P

Analog Power AM3444N N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 32 @ VGS = 10V 6.5 Low thermal impedance 40 44 @ VGS = 4.5V 5.6 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.2. Size:218K  analog power
am3445p.pdfpdf_icon

AM3447P

Analog Power AM3445P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs PRODUCT SUMMARY utilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.038 @ VGS = -4.5V -5.6 power loss and heat dissipation. Typical -20 0.054 @ VGS = -2.5V -4.8 applications are DC-DC converters and power management in portabl

 9.3. Size:87K  analog power
am3443p.pdfpdf_icon

AM3447P

Analog Power AM3443P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m(OHM) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 65 @ V = -4.5V -4.5 converters and power management in portable and GS battery-powered products su

Другие IGBT... AM3435P, AM3438NE, AM3441P, AM3443C, AM3443P, AM3444N, AM3445P, AM3446N, IRF540, AM3454N, AM3455P, AM3456N, AM3456NE, AM3457P, AM3457PE, AM3458N, AM3459P