Справочник MOSFET. AM3458N

 

AM3458N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM3458N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для AM3458N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3458N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  analog power
am3458n.pdfpdf_icon

AM3458N

Analog Power AM3458NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)92 @ VGS = 10V3.4 Low thermal impedance 60107 @ VGS = 4.5V3.1 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:203K  analog power
am3456ne.pdfpdf_icon

AM3458N

Analog Power AM3456NEN-Channel 30V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsutilize a high cell density trench process to PRODUCT SUMMARYprovide low rDS(on) and to ensure minimal VDS (V) rDS(on) ()ID (A)power loss and heat dissipation. Typical 0.032 @ VGS = 10 V 5.3applications are DC-DC converters and 30power management in portable and 0.044 @ VGS = 4.5V 4.5

 9.2. Size:140K  analog power
am3457pe.pdfpdf_icon

AM3458N

Analog Power AM3457PEP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs PRODUCT SUMMARYutilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal VDS (V) rDS(on) () ID (A)power loss and heat dissipation. Typical 0.056 @ VG = -10V -4.0Sapplications are DC-DC converters and -30.00.083 @ VG = -4.5V -3.4power management in port

 9.3. Size:129K  analog power
am3456n.pdfpdf_icon

AM3458N

Analog Power AM3456NN-Channel 30V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize High Cell Density process. Low rDS(on)assures minimal power loss and conserves VDS (V) rDS(on) ()ID (A)energy, making this device ideal for use in 0.044 @ VGS = 10 V 5.1power management circuitry. Typical 300.064 @ VGS = 4.5V 4.5applications are power switch, power

Другие MOSFET... AM3446N , AM3447P , AM3454N , AM3455P , AM3456N , AM3456NE , AM3457P , AM3457PE , IRF640N , AM3459P , AM3460N , AM3463P , AM3470N , AM3471P , AM3472N , AM3474N , AM3483 .

History: AP9467GM | CJ3415 | LSF65R290HF | NCE60ND45XG | MML60R190PTH | SFF25P20S2I-02 | CM20N60

 

 
Back to Top

 


 
.