Справочник MOSFET. AM3472N

 

AM3472N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM3472N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3472N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  analog power
am3472n.pdfpdf_icon

AM3472N

Analog Power AM3472NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)170 @ VGS = 10V2.9 Low thermal impedance 100185 @ VGS = 5.5V2.7 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

 9.1. Size:174K  analog power
am3470n.pdfpdf_icon

AM3472N

Analog Power AM3470NN-Channel 100V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.280 @ VGS = 10 V 2.2battery-powered products suc

 9.2. Size:322K  analog power
am3471p.pdfpdf_icon

AM3472N

Analog Power AM3471PP-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)600 @ VGS = -10V -1.5 Low thermal impedance -100700 @ VGS = -4.5V -1.4 Fast switching speed Typical Applications: TSOP-6 Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media

 9.3. Size:102K  analog power
am3474n.pdfpdf_icon

AM3472N

Analog Power AM3474NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY Key Features:rDS(on) (m) VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)70 @ VGS = 10V4.4 Low thermal impedance100120 @ VGS = 5.5V3.4 Fast switching speedTypical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion CircuitsABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STF20NM60D | YTF840 | BSS138A | AONU32320 | AP4N4R2H | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.