AM4494N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM4494N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 404 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AM4494N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4494N даташит

 ..1. Size:314K  analog power
 am4494n.pdf pdf_icon

AM4494N

Analog Power AM4494N N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 18 @ VGS = 10V 11 Low thermal impedance 100 23 @ VGS = 5.5V 10 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:326K  analog power
 am4492n.pdf pdf_icon

AM4494N

Analog Power AM4492N N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 26 @ VGS = 10V 9 Low thermal impedance 100 36 @ VGS = 4.5V 7.6 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 9.2. Size:111K  analog power
 am4490n.pdf pdf_icon

AM4494N

Analog Power AM4490N N-Channel 100-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 78 @ VGS = 10V 5.2 converters and power management in portable and 100 92 @ VGS = 4.5V 4.8 batte

 9.3. Size:314K  analog power
 am4490ne.pdf pdf_icon

AM4494N

Analog Power AM4490NE N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 78 @ VGS = 10V 5.2 Low thermal impedance 100 92 @ VGS = 4.5V 4.8 Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost conv

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AM4470N, AM4472N, AM4480N, AM4481P, AM4482N, AM4490N, AM4490NE, AM4492N, IRFB4110, AM4499P, AM4502AC, AM4502C, AM4502CE, AM4512AC, AM4512C, AM4512CE, AM4520H