AM4499P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM4499P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AM4499P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4499P даташит

 ..1. Size:322K  analog power
am4499p.pdfpdf_icon

AM4499P

Analog Power AM4499P P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 45 @ VGS = -10V -6.8 Low thermal impedance -60 60 @ VGS = -4.5V -5.9 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMU

 ..2. Size:2050K  cn vbsemi
am4499p.pdfpdf_icon

AM4499P

AM4499P www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.0195 at VGS = - 10 V - 10 APPLICATIONS - 60 76 nC 0.0250 at VGS = - 4.5 V - 9 Load Switch S SO-8 SD 1 8 G SD 2 7 SD 3 6 GD 4 5 D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unl

 9.1. Size:326K  analog power
am4492n.pdfpdf_icon

AM4499P

Analog Power AM4492N N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 26 @ VGS = 10V 9 Low thermal impedance 100 36 @ VGS = 4.5V 7.6 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 9.2. Size:111K  analog power
am4490n.pdfpdf_icon

AM4499P

Analog Power AM4490N N-Channel 100-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 78 @ VGS = 10V 5.2 converters and power management in portable and 100 92 @ VGS = 4.5V 4.8 batte

Другие IGBT... AM4472N, AM4480N, AM4481P, AM4482N, AM4490N, AM4490NE, AM4492N, AM4494N, IRF640N, AM4502AC, AM4502C, AM4502CE, AM4512AC, AM4512C, AM4512CE, AM4520H, AM4528C