AM4520H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM4520H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AM4520H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4520H даташит

 ..1. Size:397K  analog power
 am4520h.pdf pdf_icon

AM4520H

Analog Power AM4520H PRODUCT SUMMARY P & N-Channel 20-V (D-S) MOSFET rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) 47 @ VGS = 4.5V 6.6 20 55 @ VGS = 2.5V 6.2 Key Features Key Features 79 @ VGS = -4.5V -5.2 Low r trench technology Low r trench technology DS(on) DS(on) -20 110 @ VGS = -2.5V -4.4 Low thermal impedance Low thermal impedance Fast switching speed Fa

 9.1. Size:165K  analog power
 am4528c.pdf pdf_icon

AM4520H

Analog Power AM4528C P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) minimal power loss and conserves energy, making 28 @ VGS = 4.5V 7.2 this device ideal for use in power management 30 18 @ VGS = 10V 8.5 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC converte

Другие IGBT... AM4494N, AM4499P, AM4502AC, AM4502C, AM4502CE, AM4512AC, AM4512C, AM4512CE, IRFB4115, AM4528C, AM4530C, AM4530CE, AM4531C, AM4533C, AM4534C, AM4536C, AM4540C