AM4835EP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM4835EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для AM4835EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4835EP даташит

 ..1. Size:246K  analog power
 am4835ep.pdf pdf_icon

AM4835EP

Analog Power AM4835EP P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 19 @ VGS = -10V -9.5 -30 converters and power management in portable and 30 @ VGS = -4.5V -7.5

 8.1. Size:320K  analog power
 am4835p.pdf pdf_icon

AM4835EP

Analog Power AM4835P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 19 @ VGS = -10V -9.5 Low thermal impedance -30 30 @ VGS = -4.5V -7.5 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMU

 8.2. Size:1779K  cn vbsemi
 am4835p.pdf pdf_icon

AM4835EP

AM4835P www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D G

 9.1. Size:217K  analog power
 am4830ns.pdf pdf_icon

AM4835EP

Analog Power AM4830NS N-Channel 30-V (D-S) MOSFET MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low 13.5 @ VGS = 10V 13 30 rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 20 @ VGS = 4.5V 11 dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AM4599C, AM45N06-16D, AM4811P, AM4812, AM4825P, AM4825PE, AM4830NS, AM4832N, 13N50, AM4835P, AM4840N, AM4841P, AM4842N, AM4844NE, AM4874N, AM4890N, AM4892N